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BC847SH6327XTSA1 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 45V 100mA 250MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-PO

  • Produttore:

    Infineon

  • ProduttorePart #:

    BC847SH6327XTSA1

  • Scheda dati:

    BC847SH6327XTSA1 Scheda dati (PDF) pdf-icon

  • Mounting Style:

    SMD/SMT

  • Transistor Polarity:

    NPN

  • Configuration:

    Dual

  • Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

    45 V

BC847SH6327XTSA1 Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 45V 100mA 250MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-PO

Infineon inventario

Caratteristiche principali

  • Low noise audio amplifier circuit
  • High definition video interface module
  • Rapid serial communication protocol
  • Advanced error detection mechanism
Infineon Stock originale

Applicazione

  • Compact and powerful
  • Versatile application
  • Highly adaptable

Specifiche

Product Category Bipolar Transistors - BJT Mounting Style SMD/SMT
Transistor Polarity NPN Configuration Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 45 V Collector- Base Voltage VCBO 50 V
Emitter- Base Voltage VEBO 6 V Collector-Emitter Saturation Voltage 200 mV
Maximum DC Collector Current 100 mA Pd - Power Dissipation 250 mW
Gain Bandwidth Product fT 250 MHz Minimum Operating Temperature - 65 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Qualification AEC-Q101
Series BC847 Continuous Collector Current 100 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min 200 DC Current Gain hFE Max 450
Product Type BJTs - Bipolar Transistors Factory Pack Quantity 3000
Subcategory Transistors Technology Si
Part # Aliases BC 847S H6327 SP000747298 Unit Weight 0.000265 oz

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