Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

BC 846S H6727 +BOM

Advanced BJT AF transistor design for enhanced efficiency

Produttore:

Infineon
ProduttorePart #:

BC 846S H6727
Scheda dati:

BC 846S H6727 Scheda dati (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

65 V

BC 846S H6727 Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 65V 100mA 250MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-PO

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	65 V	Collector- Base Voltage VCBO	80 V
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	200 mV
Maximum DC Collector Current	200 mA	Pd - Power Dissipation	250 mW
Gain Bandwidth Product fT	250 MHz	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	BC846
Continuous Collector Current	100 mA	DC Collector/Base Gain hfe Min	200
DC Current Gain hFE Max	450	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Part # Aliases	BC846SH6727XT SP000746928 BC846SH6727XTSA1
Unit Weight	0.000265 oz

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..