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BC847BVN +BOM

Bipolar Transistors - BJT

Produttore:

NXP
ProduttorePart #:

BC847BVN
Scheda dati:

BC847BVN Scheda dati (PDF)
Description:

Bipolar Transistors - BJT
Datasheet:

Datasheet
Availability:

N/AAlternative Packaging
Technology:

Si

Caratteristiche principali

Epitaxial Die Construction

Two Internally Isolated NPN/PNP Transistors in One Package

Ultra-Small Surface Mount Package

Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

Halogen- and Antimony-Free. Green Device (Note 3)

For automotive applications requiring specific change

control (i.e. parts qualified to AEC-Q100/101/200, PPAP

capable, and manufactured in IATF 16949 certified facilities),

please contact us or your local Diodes representative.

https://www.diodes.com/quality/product-definitions/

An Automotive-Compliant Part Is Available Under Separate

Datasheet (BC847BVNQ)

Specifiche

Description	Bipolar Transistors - BJT	Datasheet	Datasheet
Availability	N/AAlternative Packaging	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	NPN, PNP
Configuration	Dual	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	45 V
Collector- Base Voltage VCBO	50 V	Emitter- Base Voltage VEBO	6 V
Pd - Power Dissipation	150 mW	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	BC847BV

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..