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Vedi Specifiche Tecniche

ARF461AG +BOM

1000V RF MOSFET.

Produttore:

Microchip
ProduttorePart #:

ARF461AG
Scheda dati:

ARF461AG Scheda dati (PDF)
Transistor Polarity:

N-Channel
Technology:

Si
Id - Continuous Drain Current:

6.5 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:

1 kV
EDA/CAD Modelli:

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ARF461AG Descrizione generale

The ARF family of RF powerMOSFETs is optimized for applications requiring frequencies as high as 150 MHzand operating voltages as high as 400V. Historically, RF power MOSFETs werelimited to applications of 50V or less. This limitation has been removed bycombining Microchip’s high-voltage MOSFET technology with RF-specific diegeometries.

TheDRF1300 and DRF1301 have two independent channels, each containing a driver andRF MOSFET in a push-pull configuration. All DRF parts feature a proprietary anti-ringfunction to eliminate cross conduction in bridge or push-pull topologies. AllDRF parts can be externally selected in either an inverting or non-invertingconfiguration.

Caratteristiche principali

Semi-Cap (6, 13, 27, 40MHz)
Industrial Glass (6, 13, 27, 40MHz)
PV Cells (6, 13, 27, 40MHz)
Flat Panel Displays (6, 13, 27, 40MHz)
Mass Spectrometry (13, 27MHz)
Dielectric Heating (2 to 40MHz)
Machine Tools (6, 13, 27MHz)
Drilling (6, 13, 27MHz)
Marking (13, 27, 40, 81, 108MHz)
Cutting (6, 13, 27MHz)
MRI (8 to 36, 64, 128 300MHz)
Laser Scalpel (13, 27, 40, 81, 108MHz)
Diathermy/Hyperthermia (8MHz)
Chemical Analysis (13, 27MHz)
Marine Radio (2 to 40MHz)
HF Radio (2 to 40MHz)
FM Broadcast (87 to 108MHz)

Specifiche

Product Category	RF MOSFET Transistors	Transistor Polarity	N-Channel
Technology	Si	Id - Continuous Drain Current	6.5 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	1 kV	Rds On - Drain-Source Resistance	-
Operating Frequency	65 MHz	Gain	13 dB
Output Power	150 W	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Mounting Style	Through Hole
Product Type	RF MOSFET Transistors	Factory Pack Quantity	1
Subcategory	MOSFETs	Type	RF Power MOSFET
Unit Weight	1.340411 oz

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