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AOTF11S60 +BOM
1S60 Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220F":
TO-220F-
Produttore:
-
ProduttorePart #:
AOTF11S60
-
Scheda dati:
-
ECCN (US):
EAR99
-
Configuration:
Single
-
Channel Mode:
Enhancement
-
Channel Type:
N
-
EDA/CAD Modelli:
Disponibilità: 9844 PZ
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AOTF11S60 Descrizione generale
Featuring a TO-220AB package with 3 pins, the AOTF11S60 is easy to install and suitable for use in various electronic circuits. Additionally, this transistor is RoHS compliant, making it environmentally friendly and safe for use in consumer electronics and other products
Caratteristiche principali
- VDS @ Tj,max 700V
- IDM 45A
- RDS(ON),max 0.399Ω
- Qg,typ 11nC
- Eoss @ 400V 2.7µJ
Specifiche
ECCN (US) | EAR99 | Part Status | Obsolete |
Automotive | PPAP | ||
Category | Power MOSFET | Configuration | Single |
Channel Mode | Enhancement | Channel Type | N |
Number of Elements per Chip | 1 | Maximum Drain Source Voltage (V) | 600 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 | Maximum Continuous Drain Current (A) | 11 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 399@10V | Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 11@10V |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 11 | Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 545@100V |
Maximum Power Dissipation (mW) | 38000 | Typical Fall Time (ns) | 20 |
Typical Rise Time (ns) | 20 | Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 59 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 20 | Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 | Typical Drain Source Resistance @ 25°C (mOhm) | 350@10V |
Mounting | Through Hole | PCB changed | 3 |
Tab | Tab | Pin Count | 3 |
Lead Shape | Through Hole |
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In Stock: 9.844
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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