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AOD5B65M1 +BOM

Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Module: N-Channel, 650 Volts, 10 Amps, 69 Watts, 3-Pin(2+Tab) DPAK, Tape and Reel Packaging

Produttore:

AOS
ProduttorePart #:

AOD5B65M1
Scheda dati:

AOD5B65M1 Scheda dati (PDF)
ECCN (US):

EAR99
Channel Type:

N
Configuration:

Single
Maximum Gate Emitter Voltage (V):

±30
EDA/CAD Modelli:

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AOD5B65M1 Descrizione generale

IGBT 650 V 10 A 69 W Surface Mount TO-252 (DPAK)

Specifiche

ECCN (US)	EAR99	Part Status	NRND
Automotive		PPAP
Channel Type	N	Configuration	Single
Maximum Gate Emitter Voltage (V)	±30	Maximum Collector-Emitter Voltage (V)	650
Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V)	1.57	Maximum Continuous Collector Current (A)	10
Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA)	0.1	Maximum Power Dissipation (mW)	69
Minimum Operating Temperature (°C)	-55	Maximum Operating Temperature (°C)	150
Packaging	Tape and Reel	Mounting	Surface Mount
PCB changed	2	Tab	Tab
Pin Count	3

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