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2SK3683-01MR +BOM

Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN

Produttore:

FUJITSU
ProduttorePart #:

2SK3683-01MR
Scheda dati:

2SK3683-01MR Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Not Recommended
Pin Count:

3
ECCN Code:

EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas):

245.3 mJ
EDA/CAD Modelli:

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

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2SK3683-01MR Descrizione generale

Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN

Caratteristiche principali

1. High speed switching
2. Low on-resistance
3. No secondary breadown
4. Low driving power
5. Avalanche-proof

Specifiche

Part Life Cycle Code	Not Recommended	Pin Count	3
Reach Compliance Code		ECCN Code	EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas)	245.3 mJ	Case Connection	ISOLATED
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	500 V
Drain Current-Max (ID)	19 A	Drain-source On Resistance-Max	0.38 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	TO-220AB
JESD-30 Code	R-PSFM-T3	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	76 A	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	NO	Terminal Form	THROUGH-HOLE
Terminal Position	SINGLE	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

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Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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