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Vedi Specifiche Tecniche

2SK1019 +BOM

Metal-oxide semiconductor transistor for reliable operatio

Produttore:

Fuji Electric Co Ltd
ProduttorePart #:

2SK1019
Scheda dati:

2SK1019 Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Pin Count:

3
ECCN Code:

EAR99
HTS Code:

8541.29.00.95
EDA/CAD Modelli:

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2SK1019 Descrizione generale

Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 450V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3PL, 3 PIN

Caratteristiche principali

High speed switching
Low on-resistance
No secondary breakdown
Low driving power
High voltage
VGSS = ±30V Guarantee

Specifiche

Part Life Cycle Code	Obsolete	Pin Count	3
ECCN Code	EAR99	HTS Code	8541.29.00.95
Case Connection	ISOLATED	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	450 V	Drain Current-Max (ID)	35 A
Drain-source On Resistance-Max	0.2 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code	R-PSFM-T3	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation Ambient-Max	300 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	100 A	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	NO	Terminal Form	THROUGH-HOLE
Terminal Position	SINGLE	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON	Turn-off Time-Max (toff)	1350 ns
Turn-on Time-Max (ton)	540 ns

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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