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2SD1898T100Q +BOM

Rapidly available, meets environmental standards, and dispatched promptly ( character

Produttore:

ROHM Semiconductor
ProduttorePart #:

2SD1898T100Q
Scheda dati:

2SD1898T100Q Scheda dati (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

80 V
EDA/CAD Modelli:

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2SD1898T100Q Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 100MHz 2 W Surface Mount MPT3

Caratteristiche principali

1) High VCEO, VCEO=80V

2) High IC, IC=1A (DC)

3) Good hFE linearity

4) Low VCE (sat)

5) Complements the 2SB1260 / 2SB1241 / 2SB1181

Applicazione

SWITCHING

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	80 V	Collector- Base Voltage VCBO	120 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	150 mV
Maximum DC Collector Current	1 A	Pd - Power Dissipation	500 mW
Gain Bandwidth Product fT	100 MHz	Minimum Operating Temperature	-
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	2SD1898
Continuous Collector Current	1 A	DC Collector/Base Gain hfe Min	82
DC Current Gain hFE Max	390	Height	1.5 mm
Length	4.5 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	1000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	2.5 mm
Unit Weight	0.004603 oz

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