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2SD1047 +BOM

High power NPN epitaxial planar bipolar transistor

Produttore:

ST
ProduttorePart #:

2SD1047
Scheda dati:

2SD1047 Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

3
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelli:

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2SD1047 Descrizione generale

With its utilization of cutting-edge BiT-LA technology, the 2SD1047 NPN transistor is engineered to excel in linear amplification applications. This innovative approach to transistor design results in exceptional gain linearity, making the 2SD1047 an ideal choice for demanding amplification tasks. Whether you're designing professional audio equipment, high-fidelity systems, or precision measurement instruments, the 2SD1047 delivers the performance and reliability you can depend on

Caratteristiche principali

Compact and lightweight design
Easily integratable with MCU
Fully tested for shock and vibration
Safe for automotive applications

Specifiche

Source Content uid	2SD1047	Part Life Cycle Code	Active
Pin Count	3	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	22 Weeks
Collector Current-Max (IC)	12 A	Collector-Emitter Voltage-Max	140 V
Configuration	SINGLE	DC Current Gain-Min (hFE)	50
JESD-30 Code	R-PSFM-T3	JESD-609 Code	e3
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Temperature-Max	150 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	NPN	Power Dissipation-Max (Abs)	100 W
Surface Mount	NO	Terminal Finish	MATTE TIN
Terminal Form	THROUGH-HOLE	Terminal Position	SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Transistor Application	AMPLIFIER
Transistor Element Material	SILICON	Transition Frequency-Nom (fT)	20 MHz

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Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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