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2N6453 +BOM

Low Noise N-Channel JFET

Produttore:

InterFET
ProduttorePart #:

2N6453
Scheda dati:

2N6453 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Configuration:

Single
EDA/CAD Modelli:

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Caratteristiche principali

LOW NOISE

Applicazione

AMPLIFIER

Specifiche

Product Category	JFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Configuration	Single	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	10 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage	- 20 V	Gate-Source Cutoff Voltage	- 5 V
Drain-Source Current at Vgs=0	50 mA	Id - Continuous Drain Current	500 pA
Pd - Power Dissipation	360 mW	Series	2N645
Forward Transconductance - Min	20 mS	Product Type	JFETs
Factory Pack Quantity	1	Subcategory	Transistors
Type	JFET	Unit Weight	0.050459 oz

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