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2N6508TG +BOM

SCR 600 V 25 A Standard Recovery Through Hole TO-220AB

Produttore:

LITTELFUSE
ProduttorePart #:

2N6508TG
Scheda dati:

2N6508TG Scheda dati (PDF)
Breakover Current IBO Max:

250 A
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM:

600 V
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM:

0.01 mA
Forward Voltage Drop:

1.8 V
EDA/CAD Modelli:

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2N6508TG Descrizione generale

The Silicon Controlled Rectifier is designed primarily for half-wave ac control applications, such as motor controls, heating controls and power supply crowbar circuits.

Caratteristiche principali

Glass Passivated Junctions with Center Gate Fire for Greater Parameter Uniformity and Stability
Small, Rugged, Thermowatt Constructed for Low Thermal Resistance, High Heat Dissipation and Durability
Blocking Voltage to 800 Volts
300 A Surge Current Capability
Device Marking: Logo, Device Type, e.g., 2N6504, Date Code
Pb-Free Packages are Available*

Specifiche

Breakover Current IBO Max	250 A	Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM	600 V
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM	0.01 mA	Forward Voltage Drop	1.8 V
Gate Trigger Voltage (Vgt)	1.5 V	Gate Trigger Current (Igt)	30 mA
Holding Current (Ih Max)	40 mA	Mounting Style	Through Hole
Packaging	Rail	Maximum Operating Temperature	+ 125 C
Minimum Operating Temperature	- 40 C	Factory Pack Quantity	50

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

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Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..