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2N6403TG +BOM

SCR 400V 16A(RMS) 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Produttore:

LITTELFUSE
ProduttorePart #:

2N6403TG
Scheda dati:

2N6403TG Scheda dati (PDF)
Breakover Current IBO Max:

160 A
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM:

400 V
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM:

0.01 mA
Forward Voltage Drop:

1.7 V
EDA/CAD Modelli:

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2N6403TG Descrizione generale

This Silicon Controlled Rectifier is designed primarily for half-wave ac control applications, such as motor controls, heating controls and power supplies, or wherever half-wave silicon gate-controlled, solid-state devices are needed.

Caratteristiche principali

Glass Passivated Junctions with Center Gate Geometry for Greater Parameter Uniformity and Stability
Small, Rugged, Thermowatt Construction for Low Thermal Resistance, High Heat Dissipation and Durability
Blocking Voltage to 800 Volts
Device Marking: Logo, Device Type, e.g., 2N6400, Date Code
Pb-Free Packages are Available

Specifiche

Breakover Current IBO Max	160 A	Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM	400 V
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM	0.01 mA	Forward Voltage Drop	1.7 V
Gate Trigger Voltage (Vgt)	1.5 V	Gate Trigger Current (Igt)	30 mA
Holding Current (Ih Max)	40 mA	Mounting Style	Through Hole
Packaging	Rail	Maximum Operating Temperature	+ 125 C
Minimum Operating Temperature	- 40 C	Factory Pack Quantity	50
feature-packaging	Tube	feature-rad-hard
feature-pin-count	3	feature-cecc-qualified
feature-esd-protection		feature-military	No
feature-aec-qualified	No	feature-aec-qualified-number
feature-eccn-code	EAR99	feature-svhc
feature-svhc-exceeds-threshold

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

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Grammo dei soldi

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..