Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

2N4867 +BOM

UNINSPECTED BARE DIE 2N4867 IN

Produttore:

InterFET
ProduttorePart #:

2N4867
Scheda dati:

2N4867 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Configuration:

Single
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per 2N4867

Applicazione

AMPLIFIER

Specifiche

Product Category	JFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Configuration	Single	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage	- 40 V	Gate-Source Cutoff Voltage	- 2 V
Drain-Source Current at Vgs=0	1.2 mA	Id - Continuous Drain Current	1 uA
Pd - Power Dissipation	300 mW	Series	2N486
Forward Transconductance - Min	700 uS	Product Type	JFETs
Factory Pack Quantity	1	Subcategory	Transistors
Type	JFET

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..