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W971GG6KB25I +BOM

Winbond Electronics Corporation product code W971GG6KB25I

W971GG6KB25I Descrizione generale

Designed for reliability and performance, the W971GG6KB25I DDR2 SDRAM chip offers a seamless computing experience with its high capacity and efficient data transfer rates. Whether you're a professional seeking to enhance your workstation or a gamer looking to upgrade your system, this chip delivers impressive results. Its x8 organization ensures efficient data storage, while the CAS latency of 5 guarantees swift responses to your data queries

Winbond inventario

Caratteristiche principali

  • Power Supply: VDD, VDDQ = 1.8 V ± 0.1 V
  • Double Data Rate architecture: two data transfers per clock cycle
  • CAS Latency: 3, 4, 5, 6 and 7
  • Burst Length: 4 and 8
  • Bi-directional, differential data strobes (DQS and DQS ) are transmitted / received with data
  • Edge-aligned with Read data and center-aligned with Write data
  • DLL aligns DQ and DQS transitions with clock
  • Differential clock inputs (CLK and CLK )
  • Data masks (DM) for write data
  • Commands entered on each positive CLK edge, data and data mask are referenced to both edges of DQS
  • Posted CAS programmable additive latency supported to make command and data bus efficiency
  • Read Latency = Additive Latency plus CAS Latency (RL = AL + CL)
  • Off-Chip-Driver impedance adjustment (OCD) and On-Die-Termination (ODT) for better signal quality
  • Auto-precharge operation for read and write bursts
  • Auto Refresh and Self Refresh modes
  • Precharged Power Down and Active Power Down
  • Write Data Mask
  • Write Latency = Read Latency - 1 (WL = RL - 1)
  • Interface: SSTL_18
  • Packaged in WBGA 84 Ball (8X12.5 mm2), using Lead free materials with RoHS compliant

Specifiche

Product Category Winbond Electronics Corporation

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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