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W94AD6KBHX5E +BOM

High-speed performance with minimal energy usage required

W94AD6KBHX5E Descrizione generale

SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 1Gbit Parallel 200 MHz 5 ns 60-VFBGA (8x9)

Specifiche

Part Life Cycle Code Active Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99 HTS Code 8542.32.00.32
Access Mode FOUR BANK PAGE BURST Access Time-Max 5 ns
Additional Feature AUTO/SELF REFRESH Clock Frequency-Max (fCLK) 200 MHz
I/O Type COMMON Interleaved Burst Length 2,4,8,16
JESD-30 Code R-PBGA-B60 Length 9 mm
Memory Density 1073741824 bit Memory IC Type LPDDR1 DRAM
Memory Width 16 Number of Functions 1
Number of Ports 1 Number of Terminals 60
Number of Words 67108864 words Number of Words Code 64000000
Operating Mode SYNCHRONOUS Operating Temperature-Max 85 °C
Operating Temperature-Min -25 °C Organization 64MX16
Output Characteristics 3-STATE Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Power Supplies 1.8 V Qualification Status Not Qualified
Refresh Cycles 8192 Seated Height-Max 1.025 mm
Self Refresh YES Sequential Burst Length 2,4,8,16
Standby Current-Max 0.00001 A Supply Current-Max 0.115 mA
Supply Voltage-Max (Vsup) 1.95 V Supply Voltage-Min (Vsup) 1.7 V
Supply Voltage-Nom (Vsup) 1.8 V Surface Mount YES
Technology CMOS Temperature Grade OTHER
Terminal Form BALL Terminal Pitch 0.8 mm
Terminal Position BOTTOM Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Width 8 mm

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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