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W949D2DBJX5E +BOM

High-performance mobile DRAM chip for demanding application

Produttore:

Winbond Electronics Corporation America
ProduttorePart #:

W949D2DBJX5E
Scheda dati:

W949D2DBJX5E Scheda dati (PDF)
Memory Type:

Volatile
Memory Format:

DRAM
Technology:

SDRAM - Mobile LPDDR
Memory Size:

512Mbit
EDA/CAD Modelli:

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W949D2DBJX5E Descrizione generale

SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 512Mbit Parallel 200 MHz 5 ns 90-VFBGA (8x13)

Winbond Electronics Corporation America inventario

Specifiche

Category	Integrated Circuits (ICs)MemoryMemory	Series	-
Memory Type	Volatile	Memory Format	DRAM
Technology	SDRAM - Mobile LPDDR	Memory Size	512Mbit
Memory Organization	16M x 32	Memory Interface	Parallel
Clock Frequency	200 MHz	Write Cycle Time - Word, Page	15ns
Access Time	5 ns	Voltage - Supply	1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature	-25°C ~ 85°C (TC)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	W949D2	Product Category:	DRAM
Type:	SDRAM Mobile - LPDDR	Mounting Style:	SMD/SMT
Data Bus Width:	32 bit	Organization:	16 M x 32
Memory Size:	512 Mbit	Maximum Clock Frequency:	200 MHz
Access Time:	6.5 ns	Supply Voltage - Max:	1.95 V
Supply Voltage - Min:	1.7 V	Supply Current - Max:	40 mA
Minimum Operating Temperature:	- 25 C	Maximum Operating Temperature:	+ 85 C
Series:	W949D2DB	Moisture Sensitive:	Yes
Product Type:	DRAM	Factory Pack Quantity:	240
Subcategory:	Memory & Data Storage

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