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TTC012(Q) +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 375 V 2 A 1.1 W Through Hole PW-MOLD2

Produttore:

Toshiba
ProduttorePart #:

TTC012(Q)
Scheda dati:

TTC012(Q) Scheda dati (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

375 V

E-mail: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

TTC012(Q) Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor NPN 375 V 2 A 1.1 W Through Hole PW-MOLD2

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	375 V	Collector- Base Voltage VCBO	800 V
Emitter- Base Voltage VEBO	8 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	500 mV
Maximum DC Collector Current	2 A	Pd - Power Dissipation	1.1 W
Gain Bandwidth Product fT	-	Minimum Operating Temperature	-
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	TTC012
DC Collector/Base Gain hfe Min	80 at 1 mA, 5 V	DC Current Gain hFE Max	250 at 1 mA, 5 V
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	200
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Unit Weight	0.012699 oz

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