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TGF2965-SM +BOM

High Power Amplifier for Wide Bandwidth

Produttore:

Qorvo
ProduttorePart #:

TGF2965-SM
Scheda dati:

TGF2965-SM Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

HEMT
Technology:

GaN-on-SiC
Operating Frequency:

30 MHz to 3 GHz
Gain:

18 dB
EDA/CAD Modelli:

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Caratteristiche principali

Frequency: 0.03 to 3.0 GHz
Output Power (P3dB): 6.0 W at 2 GHz
Linear Gain: 18 dB at 2 GHz
Typical PAE3dB: 63% at 2 GHz
Operating Voltage: 32 V
Low thermal resistance package
CW and Pulse capable
3 x 3 mm package

Specifiche

Product Category	RF JFET Transistors	Transistor Type	HEMT
Technology	GaN-on-SiC	Operating Frequency	30 MHz to 3 GHz
Gain	18 dB	Transistor Polarity	P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	32 V	Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage	- 2.7 V
Id - Continuous Drain Current	600 mA	Output Power	6 W
Maximum Drain Gate Voltage	-	Pd - Power Dissipation	7.5 W
Mounting Style	SMD/SMT	Configuration	Single
Forward Transconductance - Min	-	Gate-Source Cutoff Voltage	-
Moisture Sensitive	Yes	Product Type	RF JFET Transistors
Rds On - Drain-Source Resistance	-	Series	TGF2965
Factory Pack Quantity	100	Subcategory	Transistors
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	-	Part # Aliases	TGF2965 1123170
Unit Weight	0.002014 oz	Part Life Cycle Code	Active
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
JESD-609 Code	e4	RF/Microwave Device Type	WIDE BAND HIGH POWER
Terminal Finish	NICKEL GOLD

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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