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SUM70101EL-GE3 +BOM

SUM70101EL-GE3 Vishay P-Channel 100-V (D-S) 175C Mosfet Rohs Compliant: Yes

Produttore:

Vishay
ProduttorePart #:

SUM70101EL-GE3
Scheda dati:

SUM70101EL-GE3 Scheda dati (PDF)
REACH:

Details
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
EDA/CAD Modelli:

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SUM70101EL-GE3 Descrizione generale

The SUM70101EL-GE3 is a powerful P-channel MOSFET designed for high-performance applications. With a drain source voltage (Vds) of -100V and a continuous drain current (Id) of -120A, this transistor offers reliable and efficient operation. Its low on resistance (Rds(on) of 0.0081ohm) and high threshold voltage (Vgs) of -2.5V make it suitable for demanding tasks. The TO-263 case style and 3 pins provide easy integration into various electronic systems. With a high power dissipation of 375W and an operating temperature max of 175°C, this MOSFET is built to withstand extreme conditions. Part of the TrenchFET Series, it meets the stringent requirements of automotive applications. Its MSL 1 - Unlimited and absence of SVHC make it a safe and reliable choice for electronic designs

Caratteristiche principali

Fast switching times guaranteed
Robust thermal management ensured
Industry-standard compatible design

Specifiche

Product Category	MOSFET	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	P-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V	Id - Continuous Drain Current	120 A
Rds On - Drain-Source Resistance	10.1 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.5 V	Qg - Gate Charge	125 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Pd - Power Dissipation	375 W	Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single	Fall Time	40 ns
Forward Transconductance - Min	60 S	Product Type	MOSFET
Rise Time	40 ns	Factory Pack Quantity	800
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	110 ns	Typical Turn-On Delay Time	20 ns
Unit Weight	0.139332 oz

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