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STL128DN

Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 4 A 60 W Through Hole TO-220

Produttore:

STMicroelectronics
ProduttorePart #:

STL128DN
Scheda dati:

STL128DN Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

NPN
Current - Collector (Ic) (Max):

4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

400 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

1V @ 400mA, 2A
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STL128DN Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 4 A 60 W Through Hole TO-220

Specifiche

Series	-	Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	4 A	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	400 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1V @ 400mA, 2A	Current - Collector Cutoff (Max)	250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	10 @ 10mA, 5V	Power - Max	60 W
Frequency - Transition	-	Operating Temperature	150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	STL128

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