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STGPL6NC60DI +BOM

IGBT Transistors 600 V - 6 A Hyper fast IGBT

Produttore:

STMicroelectronics
ProduttorePart #:

STGPL6NC60DI
Scheda dati:

STGPL6NC60DI Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:

1.9 V
EDA/CAD Modelli:

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STGPL6NC60DI Descrizione generale

IGBT 600 V 14 A 56 W Through Hole TO-220FP

Applicazione

POWER CONTROL

Specifiche

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	1.9 V	Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, + 20 V
Continuous Collector Current at 25 C	14 A	Pd - Power Dissipation	56 W
Series	STGPL6NC60DI	Gate-Emitter Leakage Current	100 nA
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	1000
Subcategory	IGBTs	Unit Weight	0.081130 oz

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