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STD830CP40 +BOM

Space-saving pair of transistors for increased board efficien

Produttore:

STMicroelectronics
ProduttorePart #:

STD830CP40
Scheda dati:

STD830CP40 Scheda dati (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN, PNP
Configuration:

Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

400 V
EDA/CAD Modelli:

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STD830CP40 Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor Array 1 NPN, 1 PNP 400V 3A 3W Through Hole 8-DIP

Caratteristiche principali

Low VCE(sat)
Simplified circuit design
Reduced component count
Low spread of dynamic parameters

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN, PNP	Configuration	Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	400 V	Collector- Base Voltage VCBO	500 V, 700 V
Emitter- Base Voltage VEBO	10 V, 18 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	500 mV
Maximum DC Collector Current	6 A	Pd - Power Dissipation	3 W
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	STD830CP40
Continuous Collector Current	3 A	DC Collector/Base Gain hfe Min	18 at 700 mA, 5 V
DC Current Gain hFE Max	34 at 700 mA, 5 V	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	2000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Unit Weight	0.016932 oz

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