Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

SSVBC846BPDW1T1G +BOM

Bipolar (BJT) Transistor Array Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

SSVBC846BPDW1T1G
Scheda dati:

SSVBC846BPDW1T1G Scheda dati (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN, PNP
Configuration:

Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

65 V
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per SSVBC846BPDW1T1G

E-mail: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

SSVBC846BPDW1T1G Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor Array Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN, PNP	Configuration	Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	65 V	Collector- Base Voltage VCBO	80 V
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	250 mV, 300 mV
Maximum DC Collector Current	100 mA	Pd - Power Dissipation	380 mW
Gain Bandwidth Product fT	100 MHz	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	BC846BPDW1
Continuous Collector Current	100 mA	DC Collector/Base Gain hfe Min	200
DC Current Gain hFE Max	475	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Unit Weight	0.000212 oz

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..