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SPD02N50C3 +BOM
Trans MOSFET N-CH 500V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
TO-252-3-
Produttore:
Infineon Technologies
-
ProduttorePart #:
SPD02N50C3
-
Scheda dati:
-
Series:
CoolMOS™
-
FET Type:
N-Channel
-
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
-
Drain To Source Voltage (Vdss):
560 V
-
EDA/CAD Modelli:
Disponibilità: 7265 PZ
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SPD02N50C3 Descrizione generale
The SPD02N50C3, a Power Field-Effect Transistor, boasts an impressive current rating of 1.8A and a voltage tolerance of 500V. Its low resistance value of 3ohm makes it ideal for applications requiring minimal power loss
Caratteristiche principali
- Static drain-source on-resistance:
- RDS(on)≤3Ω
- Enhancement mode:
- 100% avalanche tested
- Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
- performance and reliable operation
Specifiche
Series | CoolMOS™ | FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 560 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.8A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 1.1A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 80µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 190 pF @ 25 V | Power Dissipation (Max) | 25W (Tc) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
Base Product Number | SPD02N |
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In Stock: 7.265
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