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SMBTA06UPNE6327HTSA1 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 80V 500mA 100MHz 330mW Surface Mount PG-SC74-6

SMBTA06UPNE6327HTSA1 Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 80V 500mA 100MHz 330mW Surface Mount PG-SC74-6

Infineon inventario
Infineon Stock originale

Specifiche

Product Category Bipolar Transistors - BJT Mounting Style SMD/SMT
Transistor Polarity NPN, PNP Configuration Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 80 V Collector- Base Voltage VCBO 80 V
Emitter- Base Voltage VEBO 4 V Collector-Emitter Saturation Voltage 250 mV
Maximum DC Collector Current 500 mA Pd - Power Dissipation 330 mW
Gain Bandwidth Product fT 100 MHz Minimum Operating Temperature - 65 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Qualification AEC-Q101
Series SMBTA06 Continuous Collector Current 500 mA
Product Type BJTs - Bipolar Transistors Factory Pack Quantity 3000
Subcategory Transistors Technology Si
Part # Aliases SMBTA 06UPN E6327 SP000012393 Unit Weight 0.000430 oz

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