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SIHFL9110TR-GE3 +BOM

SOT-223 packaged P-Channel MOSFET designed for applications requiring a 100V voltage handling capability and supporting currents up to 1

Produttore:

Vishay
ProduttorePart #:

SIHFL9110TR-GE3
Scheda dati:

SIHFL9110TR-GE3 Scheda dati (PDF)
REACH:

Details
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
EDA/CAD Modelli:

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SIHFL9110TR-GE3 Descrizione generale

P-Channel 100 V 1.1A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223

Caratteristiche principali

Surface-mount

Available in tape and reel

Dynamic dv/dt rating

Repetitive avalanche rated

P-channel

Fast switching

Ease of paralleling

Specifiche

Product Category	MOSFET	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	P-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V	Id - Continuous Drain Current	1.1 A
Rds On - Drain-Source Resistance	1.2 Ohms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	4 V	Qg - Gate Charge	8.7 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	3.1 W	Channel Mode	Enhancement
Series	SIH	Configuration	Single
Fall Time	17 ns	Forward Transconductance - Min	0.82 S
Product Type	MOSFET	Rise Time	27 ns
Factory Pack Quantity	2500	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 P-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	15 ns
Typical Turn-On Delay Time	10 ns	Unit Weight	0.008818 oz

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