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Vedi Specifiche Tecniche

SI7170DP +BOM

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Produttore:

SI
ProduttorePart #:

SI7170DP
Scheda dati:

SI7170DP Scheda dati (PDF)
Series:

TrenchFET®
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

30 V
EDA/CAD Modelli:

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Caratteristiche principali

4.5V to 24V Input Voltage Range
6A Output Current
45mΩInternal High Side N-MOSFET
Current Mode Control
600kHz Switching Frequency
Adjustable Output from 0.8V to 15V
Up to 95% Efficiency
Internal Compensation
Stable with Ceramic Capacitors
Synchronous External Clock : 300kHz to 1.5MHz
Cycle-by-Cycle Current Limit
Input Under Voltage Lockout
Output Under Voltage Protection
Power Good Indicator
Thermal Shutdown Protection
RoHS Compliant and Halogen Free

Specifiche

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	TrenchFET®
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.4mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.6V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	100 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4355 pF @ 15 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	5W (Ta), 48W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	SI7170

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