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SI3590DV-T1-GE3 +BOM

MOSFET -30V Vds 12V Vgs TSOP-6 N&P PAIR

Produttore:

VISHAY
ProduttorePart #:

SI3590DV-T1-GE3
Scheda dati:

SI3590DV-T1-GE3 Scheda dati (PDF)
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Configuration:

N and P-Channel
FET Feature:

Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss):

30V
EDA/CAD Modelli:

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SI3590DV-T1-GE3 Descrizione generale

Mosfet Array 30V 2.5A, 1.7A 830mW Surface Mount 6-TSOP

Caratteristiche principali

TrenchFET® power MOSFET

Ultra low RDS(on) n- and p-channel for high efficiency

Optimized for high side / low side

Minimized conduction losses

Applicazione

SWITCHING

Specifiche

Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Configuration	N and P-Channel
FET Feature	Logic Level Gate	Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.5A, 1.7A	Rds On (Max) @ Id, Vgs	77mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-	Power - Max	830mW
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount

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