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SI1032X-T1-GE3 +BOM
MOSFET 20V 200mA 340mW 5.0ohm @ 4.5V
SC-89,SOT-490-
Produttore:
Vishay Siliconix
-
ProduttorePart #:
SI1032X-T1-GE3
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Scheda dati:
-
Series:
TrenchFET®
-
FET Type:
N-Channel
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Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
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Drain To Source Voltage (Vdss):
20 V
-
EDA/CAD Modelli:
Disponibilità: 5653 PZ
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SI1032X-T1-GE3 Descrizione generale
N-Channel 20 V 200mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
Caratteristiche principali
LOW THRESHOLDApplicazione
["Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories ", "Battery Operated Systems ", "Power Supply Converter Circuits ", "Load/Power Switching Cell Phones, Pagers"]Specifiche
Series | TrenchFET® | FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA (Ta) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 200mA, 4.5V | Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.75 nC @ 4.5 V | Vgs (Max) | ±6V |
Power Dissipation (Max) | 300mW (Ta) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Base Product Number | SI1032 |
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In Stock: 5.653
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