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S70KS1282GABHI020 +BOM

High-density memory solution for synchronous application

Produttore:

Infineon Technologies Corporation
ProduttorePart #:

S70KS1282GABHI020
Scheda dati:

S70KS1282GABHI020 Scheda dati (PDF)
Series:

HyperRAM™ KS
Memory Type:

Volatile
Memory Format:

PSRAM
Technology:

PSRAM (Pseudo SRAM)
EDA/CAD Modelli:

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S70KS1282GABHI020 Descrizione generale

PSRAM (Pseudo SRAM) Memory IC 128Mbit HyperBus 200 MHz 35 ns PG-BGA-24-801

Infineon Technologies Corporation inventario

Infineon Technologies Corporation Stock originale

Specifiche

Category	Integrated Circuits (ICs)MemoryMemory	Series	HyperRAM™ KS
Memory Type	Volatile	Memory Format	PSRAM
Technology	PSRAM (Pseudo SRAM)	Memory Size	128Mbit
Memory Organization	16M x 8	Memory Interface	HyperBus
Clock Frequency	200 MHz	Write Cycle Time - Word, Page	35ns
Access Time	35 ns	Voltage - Supply	1.7V ~ 2V
Operating Temperature	-40°C ~ 85°C (TA)	Mounting Type	Surface Mount
RHoS	yes	PBFree	yes
feature-organization		feature-minimum-operating-supply-voltage-v	1.7
feature-maximum-access-time-ns	35(Min)	feature-process-technology
feature-maximum-operating-supply-voltage-v	2	feature-maximum-operating-current-ma
feature-packaging	Tray	feature-rad-hard
feature-pin-count	24	feature-cecc-qualified
feature-esd-protection		feature-military	No
feature-aec-qualified	No	feature-aec-qualified-number
feature-auto-motive	No	feature-p-pap	No
feature-eccn-code	3A991b.2.a.	feature-svhc
feature-svhc-exceeds-threshold	No

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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