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S70KL1282GABHV020 +BOM

High-density, low-power memory for improved system performance and efficienc

Produttore:

Infineon Technologies Corporation
ProduttorePart #:

S70KL1282GABHV020
Scheda dati:

S70KL1282GABHV020 Scheda dati (PDF)
RHoS:

yes
PBFree:

yes
Interface Frequency (SDR/DDR):

- / 200
Lead Ball Finish:

N/A
EDA/CAD Modelli:

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S70KL1282GABHV020 Descrizione generale

PSRAM (Pseudo SRAM) Memory IC 128Mbit HyperBus 200 MHz 35 ns 24-FBGA (6x8)

Infineon Technologies Corporation inventario

Infineon Technologies Corporation Stock originale

Specifiche

RHoS	yes	PBFree	yes
Interface Frequency (SDR/DDR)	- / 200	Lead Ball Finish	N/A
Operating Voltage max	3.6 V	Operating Voltage min	2.7 V
Operating Temperature max	105.0 °C	Operating Temperature min	-40.0 °C
Family	KL-2	Technology	HYPERRAM
Interfaces	HYPERBUS	Qualification	Industrial

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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