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RN2301(TE85L,F) +BOM

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 100 mW Surface Mount SC-70

Produttore:

Toshiba
ProduttorePart #:

RN2301(TE85L,F)
Scheda dati:

RN2301(TE85L,F) Scheda dati (PDF)
Configuration:

Single
Transistor Polarity:

PNP
Typical Input Resistor:

4.7 kOhms
Typical Resistor Ratio:

1

RN2301(TE85L,F) Descrizione generale

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 100 mW Surface Mount SC-70

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - Pre-Biased	Configuration	Single
Transistor Polarity	PNP	Typical Input Resistor	4.7 kOhms
Typical Resistor Ratio	1	Mounting Style	SMD/SMT
DC Collector/Base Gain hfe Min	30	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V
Continuous Collector Current	- 100 mA	Peak DC Collector Current	100 mA
Pd - Power Dissipation	100 mW	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	RN2301	DC Current Gain hFE Max	30
Height	0.9 mm	Length	2 mm
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	Transistors	Width	1.25 mm
Unit Weight	0.000988 oz

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