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RN1409,LXHF +BOM

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount S-Mini

Produttore:

Toshiba
ProduttorePart #:

RN1409,LXHF
Scheda dati:

RN1409,LXHF Scheda dati (PDF)
Configuration:

Single
Transistor Polarity:

NPN
Typical Input Resistor:

47 kOhms
Typical Resistor Ratio:

2.14

RN1409,LXHF Descrizione generale

Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=47kO, Q1BER=22kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - Pre-Biased	Configuration	Single
Transistor Polarity	NPN	Typical Input Resistor	47 kOhms
Typical Resistor Ratio	2.14	Mounting Style	SMD/SMT
DC Collector/Base Gain hfe Min	70 at 10 mA, 5 V	Maximum Operating Frequency	250 MHz
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V	Continuous Collector Current	100 mA
Pd - Power Dissipation	200 mW	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Emitter- Base Voltage VEBO	15 V	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Qualification	AEC-Q200	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	Transistors	Part # Aliases	RN1409,LXHF(B

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