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Vedi Specifiche Tecniche

RFP4N100 +BOM

High Power N-Channel MOSFET in TO-220AB Package

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

RFP4N100
Scheda dati:

RFP4N100 Scheda dati (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

1000 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

4.3A (Tc)
EDA/CAD Modelli:

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RFP4N100 Descrizione generale

N-Channel 1000 V 4.3A (Tc) Through Hole TO-220-3

Caratteristiche principali

4.3A, 1000V
rDS(ON) = 3.500Ω
UIS Rating Curve (Single Pulse)
-55°C to 150°C Operating Temperature
Related Literature
- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards”

Specifiche

FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	120 nC @ 20 V
Vgs (Max)	-	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	-
Operating Temperature	-	Mounting Type	Through Hole
Product Category	MOSFET	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	1 kV	Id - Continuous Drain Current	4.3 A
Rds On - Drain-Source Resistance	3.5 Ohms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	150 W	Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single	Fall Time	50 ns
Height	16.3 mm	Length	10.67 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	50 ns
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	170 ns	Typical Turn-On Delay Time	30 ns
Width	4.7 mm	Unit Weight	0.068784 oz

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