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RF MOSFET Transistors Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 5A 20W 36V
Produttore:
ProduttorePart #:
RFM08U9X(TE12L,Q)
Scheda dati:
Transistor Polarity:
N-Channel
Technology:
Si
Id - Continuous Drain Current:
5 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:
36 V
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Avaq Semiconductor offre il driver RFM08U9X(TE12L,Q) altamente versatile e affidabile, prodotto da Toshiba. Con le sue capacità multifunzionali e ad alte prestazioni, questo componente è una scelta eccellente per un'ampia gamma di progetti elettronici.
Per garantire di avere tutte le informazioni necessarie per sfruttare al meglio questo componente, Avaq fornisce una scheda tecnica PDF gratuita, nonché schemi elettrici, layout dei pin, dettagli dei pin, valori di tensione dei pin e componenti equivalenti per il RFM08U9X(TE12L,Q).
Avaq offre anche campioni gratuiti. Basta compilare e inviare il modulo di richiesta campione per ricevere i campioni gratuiti da testare. Se avete domande, non esitate a contattarci in qualsiasi momento.
Product Category | RF MOSFET Transistors | Transistor Polarity | N-Channel |
Technology | Si | Id - Continuous Drain Current | 5 A |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 36 V | Operating Frequency | 520 MHz |
Gain | 11.7 dB | Output Power | 7.5 W |
Mounting Style | SMD/SMT | Configuration | Single |
Pd - Power Dissipation | 20 W | Product Type | RF MOSFET Transistors |
Series | RFM08 | Factory Pack Quantity | 1000 |
Subcategory | MOSFETs | Type | RF Power MOSFET |
Vgs - Gate-Source Voltage | 5 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.5 V |
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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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