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RFM03U3CT(TE12L) +BOM

High-performance RF MOSFET featuring a high current density and low input capacitance, ideal for wireless communication applications

Produttore:

Toshiba
ProduttorePart #:

RFM03U3CT(TE12L)
Scheda dati:

RFM03U3CT(TE12L) Scheda dati (PDF)
Transistor Polarity:

N-Channel
Technology:

Si
Id - Continuous Drain Current:

2.5 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:

16 V

Avaq Semiconductor offre il driver RFM03U3CT(TE12L) altamente versatile e affidabile, prodotto da Toshiba. Con le sue capacità multifunzionali e ad alte prestazioni, questo componente è una scelta eccellente per un'ampia gamma di progetti elettronici.

Per garantire di avere tutte le informazioni necessarie per sfruttare al meglio questo componente, Avaq fornisce una scheda tecnica PDF gratuita, nonché schemi elettrici, layout dei pin, dettagli dei pin, valori di tensione dei pin e componenti equivalenti per il RFM03U3CT(TE12L).

Avaq offre anche campioni gratuiti. Basta compilare e inviare il modulo di richiesta campione per ricevere i campioni gratuiti da testare. Se avete domande, non esitate a contattarci in qualsiasi momento.

Specifiche

Product Category	RF MOSFET Transistors	Transistor Polarity	N-Channel
Technology	Si	Id - Continuous Drain Current	2.5 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	16 V	Operating Frequency	520 MHz
Gain	14.8 dB	Output Power	3 W
Mounting Style	SMD/SMT	Configuration	Single
Pd - Power Dissipation	7 W	Product Type	RF MOSFET Transistors
Series	RFM03	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Type	RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source Voltage	3 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	600 mV

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..