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Vedi Specifiche Tecniche

RFG70N06 +BOM

MOSFET TO-247 N-Ch Power

Produttore:

Onsemi
ProduttorePart #:

RFG70N06
Scheda dati:

RFG70N06 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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RFG70N06 Descrizione generale

N-Channel 60 V 70A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247-3

Caratteristiche principali

70A, 60V
rDS(on) = 0.014Ω
Temperature Compensated PSPICE® Model
Peak Current vs Pulse Width Curve
UIS Rating Curve (Single Pulse)
175oC Operating Temperature
Related Literature
- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards”

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Id - Continuous Drain Current	70 A	Rds On - Drain-Source Resistance	14 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Pd - Power Dissipation	150 W
Channel Mode	Enhancement	Configuration	Single
Fall Time	24 ns	Height	20.82 mm
Length	15.87 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	137 ns	Factory Pack Quantity	150
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	32 ns	Typical Turn-On Delay Time	10 ns
Width	4.82 mm	Part # Aliases	RFG70N06_NL
Unit Weight	0.211644 oz

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