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RFD14N05LSM +BOM

RFD14N05LSM N-channel MOSFET

RFD14N05LSM Descrizione generale

Meet the RFD14N05LSM N-channel power MOSFET, a game-changing component manufactured using the revolutionary MegaFET process. Boasting feature sizes akin to LSI integrated circuits, this MOSFET is engineered for optimal silicon utilization and outstanding performance in a variety of applications. Whether deployed in switching regulators, converters, motor drivers, or relay drivers, the RFD14N05LSM delivers unmatched efficiency and reliability. Its innovative gate oxide design ensures full rated conductance within the 3V-5V gate bias range, enabling seamless on-off power control directly from 5V logic level integrated circuits. Discover the power of true performance with the RFD14N05LSM MOSFET

Caratteristiche principali

  • Micropower Operating Voltage
  • Fully Integrated Power Management
  • Compact Surface Mount Package

Applicazione

  • Data Centers
  • Cloud Computing
  • Networking

Specifiche

Source Content uid RFD14N05LSM Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code Active Reach Compliance Code not_compliant
ECCN Code EAR99 Factory Lead Time 4 Weeks
Case Connection DRAIN Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 50 V Drain Current-Max (ID) 14 A
Drain-source On Resistance-Max 0.1 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-252AA JESD-30 Code R-PSSO-G2
JESD-609 Code e3 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1 Number of Terminals 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 175 °C
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 48 W Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES Terminal Finish MATTE TIN
Terminal Form GULL WING Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30 Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON

Politiche di servizio e altro

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