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R1LV0216BSB-7SI#S0 +BOM

SRAM Memory IC 2Mbit Parallel 70 ns 44-TSOP II

Produttore:

Renesas Electronics Corporation
ProduttorePart #:

R1LV0216BSB-7SI#S0
Scheda dati:

R1LV0216BSB-7SI#S0 Scheda dati (PDF)
Programmabe:

Not Verified
Memory Type:

Volatile
Memory Format:

SRAM
Technology:

SRAM

E-mail: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

R1LV0216BSB-7SI#S0 Descrizione generale

Support is limited to customers who have already adopted these products.

Renesas is the worldwide #1 Low Power SRAM supplier with a full lineup and well balanced long term support. High density and high performance RAMs using Renesas's original technology, for example the Advanced LPSRAM new memory cell concept are offered.

Specifiche

Series	-	Programmabe	Not Verified
Memory Type	Volatile	Memory Format	SRAM
Technology	SRAM	Memory Size	2Mbit
Memory Organization	128K x 16	Memory Interface	Parallel
Write Cycle Time - Word, Page	70ns	Access Time	70 ns
Voltage - Supply	2.7V ~ 3.6V	Operating Temperature	-40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	R1LV0216

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..