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R1LP0408DSB-5SI#B1 +BOM

State-of-the-art 4Mb Low Power PSRAM

R1LP0408DSB-5SI#B1 Descrizione generale

With the R1LP0408DSB-5SI#B1, Renesas Electronics presents a top-of-the-line synchronous dynamic random-access memory (SDRAM) chip that belongs to the LPDDR1 series. Boasting a sizable capacity of 512 megabits (64 megabytes), this chip delivers unparalleled data processing capabilities. The "5SI" identifier signifies a maximum operating frequency of 200 MHz, ensuring rapid and efficient data retrieval. Operating at a low voltage of 1.8V, this chip prioritizes energy efficiency without compromising on performance. Its compact size and minimal power consumption make it well-suited for a wide range of applications, including mobile devices, embedded systems, and portable electronics. The presence of the "#B1" suffix likely conveys specific packaging or production details, further enhancing the chip's utility and adaptability

Caratteristiche principali

  • High speed performance
  • Limited power consumption
  • Robust design

Specifiche

Source Content uid R1LP0408DSB-5SI#B1 Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code Active Pin Count 32
Reach Compliance Code compliant ECCN Code 3A991.B.2.A
HTS Code 8542.32.00.41 Factory Lead Time 52 Weeks
JESD-30 Code R-PDSO-G32 Memory IC Type STANDARD SRAM
Memory Organization 512KX8 Memory Width 8
Moisture Sensitivity Level 3 Number of Functions 1
Number of Terminals 32 Number of Words Code 512000
Operating Mode ASYNCHRONOUS Parallel/Serial PARALLEL
Surface Mount YES Technology CMOS
Temperature Grade INDUSTRIAL Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL

Politiche di servizio e altro

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