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PTVA127002EV-V1-R250 +BOM

High-power, high-reliability component for industrial and medical use case

Produttore:

Wolfspeed
ProduttorePart #:

PTVA127002EV-V1-R250
Scheda dati:

PTVA127002EV-V1-R250 Scheda dati (PDF)
Transistor Polarity:

N-Channel
Technology:

Si
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:

105 V
Rds On - Drain-Source Resistance:

100 mOhms

E-mail: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

PTVA127002EV-V1-R250 Descrizione generale

The 5-pin case and T/R packaging of this RF MOSFET make it easy to handle and install, reducing the risk of damage and ensuring a seamless integration into your application. Its high-quality construction and materials ensure long-term durability and consistent performance, giving you peace of mind knowing that your RF system is built to last

Specifiche

Product Category	RF MOSFET Transistors	Transistor Polarity	N-Channel
Technology	Si	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	105 V
Rds On - Drain-Source Resistance	100 mOhms	Operating Frequency	1.2 GHz to 1.4 GHz
Gain	16 dB	Output Power	700 W
Maximum Operating Temperature	+ 225 C	Mounting Style	SMD/SMT
Number of Channels	1 Channel	Product Type	RF MOSFET Transistors
Factory Pack Quantity	250	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	LDMOS FET	Type	RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source Voltage	10 V

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..