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PN3646 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 15 V 300 mA 350 mW Through Hole TO-92-3

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

PN3646
Scheda dati:

PN3646 Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
Factory Lead Time:

4 Weeks
EDA/CAD Modelli:

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PN3646 Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor NPN 15 V 300 mA 350 mW Through Hole TO-92-3

Specifiche

Source Content uid	PN3646	Part Life Cycle Code	Active
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Factory Lead Time	4 Weeks	Collector Current-Max (IC)	0.3 A
Collector-Base Capacitance-Max	5 pF	Collector-Emitter Voltage-Max	15 V
Configuration	SINGLE	DC Current Gain-Min (hFE)	15
JEDEC-95 Code	TO-92	JESD-30 Code	O-PBCY-T3
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Temperature-Max	150 °C	Operating Temperature-Min	-55 °C
Polarity/Channel Type	NPN	Power Dissipation Ambient-Max	0.35 W
Power Dissipation-Max (Abs)	0.35 W	Surface Mount	NO
Terminal Form	THROUGH-HOLE	Terminal Position	BOTTOM
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON
Turn-off Time-Max (toff)	28 ns	Turn-on Time-Max (ton)	18 ns
VCEsat-Max	0.5 V

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Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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