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PHE13007 +BOM

Transistors with bipolar junction

Produttore:

WeEn Semiconductors
ProduttorePart #:

PHE13007
Scheda dati:

PHE13007 Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

NPN
Current - Collector (Ic) (Max):

8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

400 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

350mV @ 1A, 5A
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PHE13007 Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 8 A 80 W Through Hole TO-220AB

Specifiche

Transistor Type	NPN	Current - Collector (Ic) (Max)	8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	400 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	350mV @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max)	200µA	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	8 @ 2A, 5V
Power - Max	80 W	Operating Temperature	150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	PHE13

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