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PDTC123JT +BOM

Bipolar Transistors - Pre-Biased

Produttore:

NXP
ProduttorePart #:

PDTC123JT
Scheda dati:

PDTC123JT Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Transferred
Pin Count:

3
Reach Compliance Code:

compliant
EDA/CAD Modelli:

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PDTC123JT Descrizione generale

NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PDTA123JT

Caratteristiche principali

100 mA output current capability
Built-in bias resistors
Simplifies circuit design
Reduces component count
Reduces pick and place costs

Applicazione

Digital application in industrial segments
Cost-saving alternative for BC847 series in digital applications
Controlling IC inputs
Switching loads

Specifiche

Source Content uid	PDTC123JT	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Transferred	Pin Count	3
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
HTS Code	8541.21.00.95	Additional Feature	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21
Collector Current-Max (IC)	0.1 A	Collector-Base Capacitance-Max	3.5 pF
Collector-Emitter Voltage-Max	50 V	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
DC Current Gain-Min (hFE)	100	JEDEC-95 Code	TO-236AB
JESD-30 Code	R-PDSO-G3	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Temperature-Max	150 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity/Channel Type	NPN
Power Dissipation Ambient-Max	0.25 W	Power Dissipation-Max (Abs)	0.25 W
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Finish	Tin (Sn)	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON
VCEsat-Max	0.3 V

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