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PDTC114ET +BOM

NXP Semiconductors

Produttore:

NXP
ProduttorePart #:

PDTC114ET
Scheda dati:

PDTC114ET Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Transferred
Pin Count:

3
Reach Compliance Code:

compliant
EDA/CAD Modelli:

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PDTC114ET Descrizione generale

NPN resistor-equipped transistors

Caratteristiche principali

BUILT IN BAIS RESISTOR RATIO IS 1

Applicazione

SWITCHING

Specifiche

Source Content uid	PDTC114ET	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Transferred	Pin Count	3
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Additional Feature	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1	Collector Current-Max (IC)	0.1 A
Collector-Base Capacitance-Max	3.5 pF	Collector-Emitter Voltage-Max	50 V
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	DC Current Gain-Min (hFE)	30
JEDEC-95 Code	TO-236AB	JESD-30 Code	R-PDSO-G3
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Temperature-Max	150 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	NPN	Power Dissipation-Max (Abs)	0.25 W
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Finish	Tin (Sn)	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON
Transition Frequency-Nom (fT)	100 MHz	VCEsat-Max	0.3 V

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

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