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Vedi Specifiche Tecniche

NVD2955T4G +BOM

P-Channel Power MOSFET with 180 mOhm resistance

Produttore:

ON Semiconductor, LLC
ProduttorePart #:

NVD2955T4G
Scheda dati:

NVD2955T4G Scheda dati (PDF)
Case Outline:

369C
MSL Temp (°C):

260
Container Type:

REEL
Technology:

Si
EDA/CAD Modelli:

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NVD2955T4G Descrizione generale

Furthermore, the NVD2955T4G MOSFET is designed to meet the highest industry standards for automotive applications. Its AEC-Q101 qualification ensures that it meets the necessary reliability and quality standards for automotive use. Additionally, its PPAP capability enables seamless integration into automotive manufacturing processes, allowing for easy adoption and deployment in automotive systems

Caratteristiche principali

Compact Size and Light Weight Designed
Operating Voltage Range Specified
Elastic Error Detection Implemented
Low Noise Emissions Compliant
MIL-STD-883 Method 1014.11 Compliant

Applicazione

Compact and lightweight structure
User-friendly interface and easy to use
High power output and low energy consumption

Specifiche

Status	Active	Case Outline	369C
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL
Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V	Id - Continuous Drain Current	12 A
Rds On - Drain-Source Resistance	155 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Qg - Gate Charge	15 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Pd - Power Dissipation	55 W
Qualification	AEC-Q101	Series	NTD2955
Fall Time	48 ns	Product Type	MOSFET
Rise Time	45 ns	Factory Pack Quantity	2500
Subcategory	MOSFETs	Typical Turn-Off Delay Time	26 ns
Typical Turn-On Delay Time	10 ns	Part # Aliases	SVD2955T4G
Unit Weight	0.011640 oz

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