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MMG30271BT1 +BOM

BTS Driver Amplifier, 900-4300 MHz, 17.5 dB, 26.9 dBm

Produttore:

NXP Semiconductor
ProduttorePart #:

MMG30271BT1
Scheda dati:

MMG30271BT1 Scheda dati (PDF)
Frequency:

900MHz ~ 4.3GHz
P1dB:

27dBm
Gain:

25dB
Voltage - Supply:

5V
EDA/CAD Modelli:

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MMG30271BT1 Descrizione generale

The MMG30271BT1 is a cutting-edge GaN high-electron-mobility transistor specially engineered for high-power RF applications. Boasting a frequency range of 30 MHz to 2700 MHz, this transistor is well-suited for a diverse array of wireless communication systems, including base stations, radar systems, and military applications. With a maximum drain-source voltage of 65V and a continuous drain current of 50mA, the MMG30271BT1 delivers exceptional power handling capability. Its low thermal resistance of 0.72 °C/W ensures efficient heat dissipation, ultimately enhancing its overall reliability

Caratteristiche principali

BTS Driver Amplifier, 900-4300 MHz, 17.5 dB, 26.9 dBm

Specifiche

Category	RF and WirelessRF Amplifiers	Series	-
Frequency	900MHz ~ 4.3GHz	P1dB	27dBm
Gain	25dB	Noise Figure	-
RF Type	-	Voltage - Supply	5V
Current - Supply	240mA	Test Frequency	2.14GHz
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	MMG30271

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