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MMZ25332B4T1 +BOM

InGaP HBT Linear Amplifier, 1427-2700 MHz, 26.5 dB, 33 dBm

Produttore:

NXP Semiconductor
ProduttorePart #:

MMZ25332B4T1
Scheda dati:

MMZ25332B4T1 Scheda dati (PDF)
Frequency (Min) (MHz):

1427
Frequency (Max) (MHz):

2700
Supply Voltage (Min-Max) (V):

3 to 5
Gain (Typ) (dB) @ F (MHz):

26.5 @ 2500
EDA/CAD Modelli:

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MMZ25332B4T1 Descrizione generale

The MMZ25332B4 is a versatile 2-stage power amplifier targeted at driver and pre-driver applications for macro and micro base stations and final stage applications for small cells. Its versatile design allows operation in any frequency band from 1427 to 2700 MHz providing gain of more than 26.5 dB. The device operates off a 5 V supply, and its bias currents and portions of the matching networks are adjustable for optimum performance in any specific application. It is housed in a QFN 4 x 4 surface mount package which allows for maximum via hole pattern. The MMZ25332B4 offers high reliability, ruggedness and ESD performance.

Caratteristiche principali

InGaP HBT LINEAR AMPLIFIER, 1500-2700 MHz, 26.5 dB, 33 dBm

Specifiche

Frequency (Min) (MHz)	1427	Frequency (Max) (MHz)	2700
Supply Voltage (Min-Max) (V)	3 to 5	Gain (Typ) (dB) @ f (MHz)	26.5 @ 2500
P1dB (dBm)	33

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