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L6384ED +BOM

Dual output high and low-side driver for half-bridge applications with a 600V rating

Produttore:

Stmicroelectronics
ProduttorePart #:

L6384ED
Scheda dati:

L6384ED Scheda dati (PDF)
Operating Range:

Industrial
Operating Temp Min Celsius:

-40.0
Operating Temp Max Celsius:

125.0
ECCN US:

EAR99
EDA/CAD Modelli:

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L6384ED Descrizione generale

The L6384ED is a cutting-edge high voltage gate driver, designed with BCD™ “offline” technology, and specially crafted to drive a half-bridge of power MOSFET or IGBT devices. With the capability to handle voltage rails up to 600V, this device is at the forefront of high voltage applications. Its high-side (floating) section is engineered to work with a voltage rail of up to 600V, making it an ideal choice for demanding industrial and automotive applications. The L6384ED presents a single input configuration, preventing simultaneous high-side driving, and also features a deadtime function, which can be fine-tuned by the user via an external resistor connected to the DT/SD pin. This guarantees further protection from output cross conduction

Caratteristiche principali

The L6384ED has a gate driving capability of up to 600mA
It includes under-voltage lockout for safe operation
This device is designed for use in automotive systems

Applicazione

Maximize MOSFET performance
Improve IGBT reliability
Ensure fault detection

Specifiche

Operating Range	Industrial	Operating Temp Min Celsius	-40.0
Operating Temp Max Celsius	125.0	ECCN US	EAR99
ECCN EU	NEC	Packing Type	Tube
Grade	Industrial

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